FQP7N20, МОП-транзистор 200V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQP7N20
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | FQP7N20 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Тип | MOSFET |
| Pd - рассеивание мощности | 63 W |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 690 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 35 ns |
| Время нарастания | 65 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара