SIHB35N60E-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHB35N60E-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 32 ns |
| Время нарастания | 61 ns |
| Типичное время задержки выключения | 78 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара