ALD212900PAL, МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Код товара: 10351070
Цена от:
788,15 руб.
Нет в наличии
Описание ALD212900PAL
Упаковка | Tube |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 0 C |
Максимальная рабочая температура | + 70 C |
Серия | ALD212900P |
Упаковка / блок | PDIP-8 |
Вес изделия | 1 g |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 10 V |
Id - непрерывный ток утечки | 79 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10.6 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 20 mV |
Канальный режим | Depletion |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка ALD212900PAL , МОП-транзистор Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара