SQJ433EP-T1_GE3, МОП-транзистор P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQJ433EP-T1_GE3
| Серия | SQ |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 49 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Qg - заряд затвора | 108 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара