CSD87313DMST, МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание CSD87313DMST
| Серия | CSD87313DMS |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | WSON-8 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.7 W |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 13 ns, 13 ns |
| Время нарастания | 27 ns, 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns, 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns, 9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 149 S, 149 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара