NVJS4151PT1G, МОП-транзистор 20V 4.2A 60MOHM PFET
Код товара: 10339649
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
31,31 руб.
Нет в наличии
Описание NVJS4151PT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 4.2 us |
| Время нарастания | 1.7 us |
| Типичное время задержки выключения | 2.7 us |
| Типичное время задержки при включении | 850 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка NVJS4151PT1G , МОП-транзистор 20V 4.2A 60MOHM PFET
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара