SI3476DV-T1-GE3, МОП-транзистор 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI3476DV-T1-GE3
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 3.6 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 93 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 4.9 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара