2SC5566-TD-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 50V

Код товара: 10336781

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2SC5566-TD-E
Производитель:

Описание 2SC5566-TD-E

Серия2SC5566
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия51.500 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокPCP-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияSingle
Pd - рассеивание мощности3.5 W
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V, 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V, 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V, 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)360 MHz, 400 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Непрерывный коллекторный ток4 A, 4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер105 V, 85 V

Способы доставки в Калининград

Доставка 2SC5566-TD-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 50V в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 824
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.