IXFT96N20P, МОП-транзистор 96 Amps 200V 0.024 Rds
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFT96N20P
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | IXFT96N20 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 4.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 16.05 mm |
| Ширина | 14 mm |
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 30 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара