BFP842ESDH6327XTSA1, РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Артикул:
BFP842ESDH6327XTSA1
Производитель:
Описание BFP842ESDH6327XTSA1
| Тип | RF Silicon Germanium |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-343-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | BFP842 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | SiGe |
| Pd - рассеивание мощности | 120 mW |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3.25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 mA |
| Рабочая частота | 60 GHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара