BFP 640ESD H6327, РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Артикул:
BFP 640ESD H6327
Производитель:
Описание BFP 640ESD H6327
| Технология | SiGe |
|---|---|
| Серия | BFP640 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 7 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
| Конфигурация | Single |
| Тип | RF Silicon Germanium |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4.1 V |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Рабочая частота | 45 GHz |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара