DGTD65T50S1PT, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Артикул:
DGTD65T50S1PT
Производитель:
Описание DGTD65T50S1PT
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Вес изделия | 5.600 g |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара