RGT80TS65DGC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench
Артикул:
RGT80TS65DGC11
Производитель:
Описание RGT80TS65DGC11
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | RGT80TS65D |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 234 W |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 38 g |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 70 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара