QH8KA4TCR, МОП-транзистор 30V Nch+Nch Si МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QH8KA4TCR
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Время нарастания | 20 ns, 20 ns |
| Время спада | 20 ns, 20 ns |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S, 7 S |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns, 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns, 20 ns |
| Qg - заряд затвора | 12 nC, 12 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара