SQJ200EP-T1_GE3, МОП-транзистор Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
Код товара: 10331349
Цена от:
91,45 руб.
Нет в наличии
Описание SQJ200EP-T1_GE3
| Вес изделия | 506.600 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 6.15 mm |
| Ширина | 5.13 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 27 W, 48 W |
| Время спада | 13 ns, 14 ns |
| Время нарастания | 18 ns, 17 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A, 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.4 mOhms, 3.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC, 43 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns, 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns, 7 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S, 60 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SQJ200EP-T1_GE3 , МОП-транзистор Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара