SIRA58DP-T1-GE3, МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIRA58DP-T1-GE3
| Вес изделия | 506.600 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIR |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.15 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 56.8 W |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 109 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.65 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 75 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара