IKP08N65H5, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Артикул:
IKP08N65H5
Производитель:
Описание IKP08N65H5
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | TRENCHSTOP 5 H5 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес изделия | 2.030 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара