SQ4080EY-T1_GE3, МОП-транзистор N-Channel 150V SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQ4080EY-T1_GE3
| Вес изделия | 74 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7.1 W |
| Время спада | 2.5 ns |
| Время нарастания | 3.2 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 19.1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.4 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 51 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара