PSMN016-100PS,127, МОП-транзистор N-CH 100V STD LEVEL МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-CH 100V STD LEVEL МОП-транзистор
Артикул:
PSMN016-100PS,127
Производитель:
Описание PSMN016-100PS,127
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | N-Channel 100 V 16 mOhms Standard Level MOSFET in TO220 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 10.3 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 9.4 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 148 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.8 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 49 nC |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 23 ns |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара