SI5448DU-T1-GE3, МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI5448DU-T1-GE3
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Серия | SI5 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 63.638 mg |
| Упаковка / блок | ChipFET-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 31 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.46 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 60 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара