SI7686DP-T1-E3, МОП-транзистор 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI7686DP-T1-E3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI7 |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 37.9 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара