DMHC10H170SFJ-13, МОП-транзистор 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
Артикул:
DMHC10H170SFJ-13
Производитель:
Описание DMHC10H170SFJ-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | V-DFN5045-12 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMHC10H |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Количество каналов | 4 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Quad |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A, 2.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 111 mOhms, 191 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 3 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Время спада | 12.8 ns, 34.4 ns |
| Время нарастания | 11.1 ns, 14.9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 42.6 ns, 57.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns, 9.1 ns |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC, 17.5 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара