IGW50N65F5, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
Артикул:
IGW50N65F5
Производитель:
Описание IGW50N65F5
Серия | TRENCHSTOP 5 F5 |
---|---|
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Вес изделия | 6.055 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Pd - рассеивание мощности | 305 W |
Технология | Si |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара