FJP5555TU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FJP5555TU
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FJP5555 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 9.4 mm (Max) |
| Длина | 10.1 mm (Max) |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm (Max) |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1.05 kV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 14 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара