CSD16325Q5, МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Артикул:
CSD16325Q5
Производитель:
Описание CSD16325Q5
| Серия | CSD16325Q5 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 118 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 159 S |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара