EMT1FHAT2R, Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP+PNP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание EMT1FHAT2R
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара