EMB3FHAT2R, Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP+PNP
Описание EMB3FHAT2R
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Конфигурация | Dual |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Квалификация | AEC-Q101 |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара