QS8M31TR, МОП-транзистор 60V N&P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QS8M31TR
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 7 ns, 10 ns |
| Время нарастания | 15 ns, 12 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A, 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 112 mOhms, 210 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 4 nC, 7.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns, 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара