ZXMN2A01E6TA, МОП-транзистор 20V N-Chnl UMOS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание ZXMN2A01E6TA
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-26-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZXMN2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Вес изделия | 15 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 225 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Qg - заряд затвора | 3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Высота | 1.3 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 1.8 mm |
| Тип | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5.21 ns |
| Время нарастания | 5.21 ns |
| Типичное время задержки выключения | 7.47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.49 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара