QSE114, Фототранзисторы 1mA PHOTO TRANS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QSE114
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Серия | QSE114 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Высота | 5.08 mm |
| Длина | 4.44 mm |
| Тип | Photo Transistor |
| Ширина | 2.54 mm |
| Вес изделия | 135 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | Side Looker |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Пиковая длина волны | 880 nm |
| Темновой ток | 100 nA |
| Время нарастания | 8 us |
| Угол половинной интенсивности | 25 deg |
| Время спада | 8 us |
| Цвет/форма линзы | Black Transparent |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара