RJ1P12BBDTLL, МОП-транзистор 100V N-CH 120A POWER
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RJ1P12BBDTLL
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 178 W |
| Время спада | 54 ns |
| Время нарастания | 33 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Канальный режим | Enhancement |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Qg - заряд затвора | 80 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара