SI2393DS-T1-GE3, МОП-транзистор 30-V (D-S) МОП-транзистор P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI2393DS-T1-GE3
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 97.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 16.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
| Время спада | 32 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 48 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара