STL13N65M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STL13N65M2
| Серия | STL13N65M2 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Вес изделия | 4.480 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | PowerFLAT-5x6-8 |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 365 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара