SSTA56HZGT116, Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT-23 -0.5A -80V VCEO
Описание SSTA56HZGT116
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Квалификация | AEC-Q101 |
Полярность транзистора | PNP |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара