BSS64AHZGT116, Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP
Артикул:
BSS64AHZGT116
Производитель:
Описание BSS64AHZGT116
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Квалификация | AEC-Q101 |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 80 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара