TK16J60W5,S1VQ, МОП-транзистор TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR МОП-транзистор TRNS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR МОП-транзистор TRNS
Артикул:
TK16J60W5,S1VQ
Производитель:
Описание TK16J60W5,S1VQ
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 4.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Время нарастания | 40 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 15.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 75 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара