SI1023X-T1-GE3, МОП-транзистор Dual P-Ch МОП-транзистор 20V 1.2 ohms @ 4.5V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Dual P-Ch МОП-транзистор 20V 1.2 ohms @ 4.5V
Артикул:
SI1023X-T1-GE3
Производитель:
Описание SI1023X-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI1 |
| Вес изделия | 3 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 280 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 390 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, + 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 1500 pC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара