PBSS4250X.135, Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 2A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PBSS4250X.135
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 4.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Высота | 1.6 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 40.074 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 550 mW |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 100 mA, 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара