NSV60601MZ4T3G, Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
Артикул:
NSV60601MZ4T3G
Производитель:
Описание NSV60601MZ4T3G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NSS60601MZ4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Вес изделия | 110 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара