BSC047N08NS3 G, МОП-транзистор N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Артикул:
BSC047N08NS3 G
Производитель:
Описание BSC047N08NS3 G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вес изделия | 180 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 17 ns |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 69 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара