IPB65R099C6ATMA1, МОП-транзистор N-Ch 700V 115A D2PAK-2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 700V 115A D2PAK-2
Артикул:
IPB65R099C6ATMA1
Производитель:
Описание IPB65R099C6ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS C6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 9.25 mm |
| Высота | 4.4 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 278 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 89 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 127 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 77 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара