RGTH50TS65GC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
Артикул:
RGTH50TS65GC11
Производитель:
Описание RGTH50TS65GC11
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Серия | RGTH50TS65 |
Упаковка | Tube |
Pd - рассеивание мощности | 174 W |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вес изделия | 38 g |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Непрерывный коллекторный ток | 25 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара