SI3421DV-T1-GE3, МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Код товара: 10299912
Цена от:
25,14 руб.
Нет в наличии
Описание SI3421DV-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SI3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 4.2 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SI3421DV-T1-GE3 , МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара