FCP190N60-GF102, МОП-транзистор 20.2A 600V МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FCP190N60-GF102
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FCP190N60_GF102 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 30 V |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 64 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 21 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара