FJAF4210OTU, Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Артикул:
FJAF4210OTU
Производитель:
Описание FJAF4210OTU
| Серия | FJAF4210 |
|---|---|
| Вес изделия | 7 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 16.7 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 15.7 mm |
| Ширина | 5.7 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Упаковка / блок | TO-3PF-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 180 |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара