FCP650N80Z, МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II
Код товара: 10293233
Цена от:
179,23 руб.
Нет в наличии
Описание FCP650N80Z
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | FCP650N80Z |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес изделия | 1.800 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 162 W |
Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
Технология | Si |
Время спада | 3.4 ns |
Время нарастания | 11 ns |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 30 V |
Канальный режим | Enhancement |
Коммерческое обозначение | SuperFET II |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 40 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 27 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.8 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка FCP650N80Z , МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара