NSS40300DDR2G, Биполярные транзисторы - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
Код товара: 10292128
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
81,57 руб.
Нет в наличии
Описание NSS40300DDR2G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NSS40300DD |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 5 mm |
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| Ширина | 4 mm |
| Вес изделия | 143 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.135 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 10 mA at 2 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка NSS40300DDR2G , Биполярные транзисторы - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара