FQT1N60CTF-WS, МОП-транзистор 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQT1N60CTF-WS
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | FQT1N60C |
| Вес изделия | 112 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Высота | 1.8 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 3.5 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 6.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара