PBSS4160XF, Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PBSS4160XF
| Вес изделия | 40.375 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.35 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 360 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 170 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара