IGW20N60H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT

Name: IGW20N60H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 10285593
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT

Код товара: 10285593

Дата обновления: 28.11.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IGW20N60H3 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IGW20N60H3

Вид монтажа	Through Hole
Серия	HighSpeed 3
Упаковка	Tube
ECCN	EAR99
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Упаковка / блок	TO-247-3
Конфигурация	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Pd - рассеивание мощности	170 W
Технология	Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← QJ6040JH7TP 694-75 →